SK Hynix 官员在 4 月 28 日的电话会议上表示，尽管当前尚无具体的规划，但公司正在讨论扩展 8 英寸代工业务的各种方法。据悉，作为该公司为扩大制造业务而付出的努力的一部分，SK Hynix 旗下代工厂 System IC 将从韩国青州迁至中国，以保持价格竞争力。与此同时，SK Hynix 表示尚无大规模推广 12 英寸晶圆代工或先进工艺的投资计划。
利川工厂资料图（来自：SK Hynix）
电话会议期间，有人询问在从英特尔手中收购了 NAND 闪存业务部门之后，SK Hynix 是否会出售其在日本半导体公司铠侠（Kioxia）的股份以筹集资金。对此，该公司一位官员回答道，SK Hynix 确实有意出售手头 2/3 的铠侠股份。
据悉，SK Hynix 在 2021 年 1 季度实现了 84942 亿韩元（约 76 亿美元）的销售额、营业利润 10244 亿韩元（约 9.17 亿美元）、净利润 9926 亿韩元（约 8.88 亿美元），较 2020 同期分别增长 18%、66% 和 53% 。
尽管一季度是半导体行业的传统淡季，但受 2021 年初的有利市场条件的推动，这家芯片制造商还是公布了让人感到如此惊讶的收益，可知 PC / 移动设备的半导体存储（包括 DRAM 和 NAND）需求在其中扮演了重要角色。
得益于拳头产品产量的显著提升，SK Hynix 的成本竞争力也有所改善，营业利润较上一季度增长了 37% 。
在移动、PC、图形产品的带动下，DRAM 出货量较上季度增长了 4% 。此外随着大容量移动设备的销售激增，NAND 闪存的出货量较上季度增长了 21% 。
展望 2021 下半年，SK Hynix 对其前景也相当看好。该公司预测，行业丢 DRAM 的需求将继续增长，同时 NAND 闪存的市场条件当得到一定的改善。
从今年 2 季度开始，SK Hynix 将分享有关 12GB 大容量多芯片封装（MCP）工艺的更多细节。
同时该公司决定增加第三代 1z（10nm）旗舰 DRAM 产品的产量，并于 2021 年内开始基于极紫外光刻（EUV）工艺的第四代（1a）产品的量产。
NAND 闪存方面，SK Hynix 强调将在 2021 年底前增加 128 层产品的销售比例，并开始 176 层闪存的批量生产。
最后，考虑到近期半导体需求的增强、以及对未来设备供应方面的考量，SK Hynix 决定在 2021 年提前开展原定于 2022 年进行的相关投资。
