Intel去年提出了全新的六大战略支柱，其中封装(Package)也占据很重要的一个位置。多数人平常更可能更在意xxnm工艺，对于封装知之甚少或者不太在意。
事实上，随着半导体工艺的日益复杂，传统单芯片封装已经渐渐不合时宜，性能、功耗、成本越来越不成比例，尤其是对于高性能芯片来说。
AMD刚发布的第三代锐龙以及即将发布的第二代霄龙，就是这种变化的一个典型代表，都用了chiplet小芯片设计，将原本一个单独的大芯片拆分开来，不同模块做成不同的小芯片，再整合到一起。
Intel也陆续推出了EMIB 2.5D、Foveros 3D封装技术，前者的代表是去年集成了Vega GPU核心的Kaby Lake-G，后者则会在今年底有Lakefiled，融合10nm、22nm。
昨日，Intel又公布了三项全新的封装技术Co-EMIB、ODI、MDIO，基本原则都是使用最优工艺制作不同IP模块，然后借助不同的封装方式、高带宽低延迟的通信渠道，整合在一块芯片上，构成一个异构计算平台。
在现场，Intel还拿出了几颗概念性的样品，可以看出在一块基板上都有多达9个裸片(Die)，且大小、功能各异，整合方式也不一样。
Co-EMIB简单说是EMIB、Foveros的综合体，可以将多个3D Foveros芯片互连在一起，制造更大的芯片。
Intel介绍的一个示例就包含四个Foveros堆栈，每一个都有八个小的计算芯片，通过TSV硅通孔与基底裸片相连，同时每个Foveros堆栈通过Co-EMIB连接两个相邻的堆栈，HBM显存和收发器也是通过Co-EMIB组织在一起。
ODI更注重互连技术，其全程就是“Omni-DirectIOnal Interconnect”，Omni-Path正是Intel用在数据中心里的一种高效互连方式。
一如其名字中Directional(方向性)所代表的，ODI既可以水平互连，也可以垂直互连，而且通孔更大，所以带宽高于传统TSV，电阻和延迟则更低，此外电流还可以直接从封装基底供给到裸片。
它所需要的垂直通孔通道数量也少于传统TSV，因此可以减小裸片面积，可容纳更多晶体管和更高性能。
MDIO意思是Multi-Die IO，也就是多裸片输入输出，是AIB(高级互连总线)的进化版，为EMIB提供一个标准化的SiP PHY级接口，可互连多个chiplet。
针脚带宽从2Gbps提高到5.4Gbps，IO电压从0.9V降低至0.5V，并且号称比台积电最近宣布的LIPNCON高级的多。
